Parasurtenseur à base de silicium 33 kV, parafoudre

Chine 
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Parasurtenseur à base de silicium 33 kV, parafoudre image

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Info de Base

N° de Modèle.
33kv silicon suger arrester

Type
Intercepteur de Source de Puissance

Structure
Parafoudre d'Oxyde de Zinc

Installation
Parafoudre Tandem

Demande
Système AC / DC

Taille
Grand

Tension de fonctionnement
High Voltage

Forme
Type de Gyro

Matériel
ZnO

Certificat
ISO9001

Marque
ABB

Info Supplémentaire

Marque Déposée
vicj

Origine
China

Code SH
85354000

Capacité de Production
5000000

Description de Produit

1.Petite taille et lumièRe

2.Impulsion de courant d'onde carréE éLevéE
3.Avoir une bonne gestion interne pour le potentiel éLectrique
4.Bon levier d'isolation interne pour absorber l'impulsion de foudre et l'impulsion de fonctionnement

Type 5W-3 5W-6 5W-9 5W-20 5W-30 10W-3 10W-6 10W-9 10W-20 10W-30
Tension nominale du systèMe la plus éLevéE (kV, r.R.S) 3.3/3.6 6.6/7.25 11/12.0 22/24.2 33/36 3.3/3.6 6.6/7.25 11/12.0 22/24 33/36
Tension nominale du parasurtenseur (kV) 3 6 9 20 30 3 6 9 20 30
Tension de fonctionnement continue min.(KV) 2.55 5.1 7.65 19.5 24.4 2.55 5.1 7.65 17 24.4
Tension de réFéRence c.A.≥KV 5 8 18 35 65 5 8 18 35 65
RéSiduel max   Sous-courant d'impulsion de fonctionnement 7.7 15.4 23.1 53.9 76.5 7.7 15.4 ≤29 53.9 ≤90
tension de  
déCharge   Courant d'impulsion de foudre inféRieur à8 μS 9 18 27 63 90 9 18 30.5 63 95
(CrêTe, kV) Sous un courant d'impulsion éLevé 9.5 19 28.5 66.5 95 9.5 19 ≤32 66.5 ≤99
Courant de tenue d'impulsion rectangulaire 2 ms (A) 100 100
Courant de réSistance aux impulsions (kA) le plus éLevéDe 4 / 10 μS 65 65
FréQuence de puissance min   Humide 20 30 ≤50 60 80 20 ≤50 30 60 90
Tension de tenue (kV, rms) Sec 24 35 ≤70 80 90 24 35 ≤70 80 95
Tension de tenue aux impulsions (kV, crêTe) 48 70 95 125 170 48 70 95 125 170
DéCharge de pression   Courant le plus éLevéPendant 0,2 s. 16 16
Classe (kA, éCusson) Courant le plus faible pendant 0,5 s. 0.8 0.8
Distance de fuite (mm)   250 390 550 900 180 250 390 550 900

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